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厂商型号

NVMFD5877NLT3G 

产品描述

MOSFET NFET SO8FL 60V 17A 39MOHM

内部编号

277-NVMFD5877NLT3G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:5000
1+¥6.1539
10+¥4.9573
100+¥3.8086
500+¥3.3641
1000+¥2.653
5000+¥2.3522
10000+¥2.2564
25000+¥2.1197
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:5000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税

NVMFD5877NLT3G产品详细规格

规格书 NVMFD5877NLT3G datasheet 规格书
NVMFD5877NL
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 5,000
FET 型 2 N-Channel (Dual)
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 17A
Rds(最大)@ ID,VGS 39 mOhm @ 7.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 5.9nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 540pF @ 25V
功率 - 最大 3.2W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-PowerTDFN
供应商器件封装 8-DFN (5x6)
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大门源电压 ±20
安装 Surface Mount
包装宽度 6.1(Max)
PCB 8
最大功率耗散 3200
最大漏源电压 60
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 39@10V
每个芯片的元件数 2
最低工作温度 -55
供应商封装形式 DFN
标准包装名称 DFN
最高工作温度 175
渠道类型 N
包装长度 5.1(Max)
引脚数 8
通道模式 Enhancement
包装高度 1.05(Max)
最大连续漏极电流 17
封装 Tape and Reel
铅形状 No Lead
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 6A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250µA
供应商设备封装 8-DFN (5x6)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 39 mOhm @ 7.5A, 10V
FET型 2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大 3.2W
标准包装 5,000
漏极至源极电压(Vdss) 60V
输入电容(Ciss ) @ VDS 540pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 20nC @ 10V
封装/外壳 8-PowerTDFN
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
安装类型 表面贴装
类别 功率 MOSFET
长度 6.1mm
典型输入电容值@Vds 540 pF @ 25 V
通道模式 增强
高度 1.05mm
每片芯片元件数目 2
最大漏源电阻值 60 mΩ
最大栅阈值电压 3V
Board Level Components Y
最高工作温度 +175 °C
通道类型 N
最低工作温度 -55 °C
最大功率耗散 23 W
最大栅源电压 ±20 V
宽度 5.1mm
尺寸 6.1 x 5.1 x 1.05mm
最大漏源电压 60 V
典型接通延迟时间 8.1 ns
典型关断延迟时间 14.5 ns
封装类型 DFN
最大连续漏极电流 17 A
引脚数目 8
典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V
工厂包装数量 5000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
晶体管极性 N-Channel
系列 NVMFD5877NL
品牌 ON Semiconductor
Id - Continuous Drain Current 17 A
安装风格 SMD/SMT
通道数 2 Channel
Rds On - Drain-Source Resistance 39 mOhms
封装/外壳 DFN-5x6-8
晶体管类型 2 N-Channel
技术 Si
RoHS RoHS Compliant

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