规格书 |
NVMFD5877NL |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 5,000 |
FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 17A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 39 mOhm @ 7.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 5.9nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 540pF @ 25V |
功率 - 最大 | 3.2W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装 | 8-DFN (5x6) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
最大门源电压 | ±20 |
安装 | Surface Mount |
包装宽度 | 6.1(Max) |
PCB | 8 |
最大功率耗散 | 3200 |
最大漏源电压 | 60 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 39@10V |
每个芯片的元件数 | 2 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | DFN |
标准包装名称 | DFN |
最高工作温度 | 175 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 5.1(Max) |
引脚数 | 8 |
通道模式 | Enhancement |
包装高度 | 1.05(Max) |
最大连续漏极电流 | 17 |
封装 | Tape and Reel |
铅形状 | No Lead |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 6A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3V @ 250µA |
供应商设备封装 | 8-DFN (5x6) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 39 mOhm @ 7.5A, 10V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
功率 - 最大 | 3.2W |
标准包装 | 5,000 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 540pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 20nC @ 10V |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
安装类型 | 表面贴装 |
类别 | 功率 MOSFET |
长度 | 6.1mm |
典型输入电容值@Vds | 540 pF @ 25 V |
通道模式 | 增强 |
高度 | 1.05mm |
每片芯片元件数目 | 2 |
最大漏源电阻值 | 60 mΩ |
最大栅阈值电压 | 3V |
Board Level Components | Y |
最高工作温度 | +175 °C |
通道类型 | N |
最低工作温度 | -55 °C |
最大功率耗散 | 23 W |
最大栅源电压 | ±20 V |
宽度 | 5.1mm |
尺寸 | 6.1 x 5.1 x 1.05mm |
最大漏源电压 | 60 V |
典型接通延迟时间 | 8.1 ns |
典型关断延迟时间 | 14.5 ns |
封装类型 | DFN |
最大连续漏极电流 | 17 A |
引脚数目 | 8 |
典型栅极电荷@Vgs | 11 nC @ 10 V |
工厂包装数量 | 5000 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
晶体管极性 | N-Channel |
系列 | NVMFD5877NL |
品牌 | ON Semiconductor |
Id - Continuous Drain Current | 17 A |
安装风格 | SMD/SMT |
通道数 | 2 Channel |
Rds On - Drain-Source Resistance | 39 mOhms |
封装/外壳 | DFN-5x6-8 |
晶体管类型 | 2 N-Channel |
技术 | Si |
RoHS | RoHS Compliant |
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